传长江存储将跳过192层，年底量产232层3D NAND

    据台湾DigiTimes消息，近日有市场传闻称，长江存储将跳过原定192层3D NAND技术，直接挑战 232层3D NAND，并有望于2022年底量产。
    目前，长江存储的128层3D NAND闪存早已量产，今5月，有消息称长江存储已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出相应产品。谁曾想，竟又有消息称，长江存储将在今年年底直接量产232层3D NAND，这着实有些令人意外。
    不过，该传闻尚未得到进一步的证实。
    值得注意的是，在今年5月，存储芯片大厂美光（Micron）率先发布了业界首个232层堆栈的3D NAND芯片，并预计在今年年底量产。另外，消息显示，三星电子预计也将在今年年底推出200层以上的3D NAND。
    如果长江存储真的能够跳过192层3D NAND，直接在年底量产232层3D NAND，无疑将直接追上三星、美光、铠侠等一众3D NAND大厂，成功跻身一线3D NAND技术大厂。