8月25日，武汉东湖高新区管委会与长飞先进半导体有限公司签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。
该项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。
长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。
（来源：CINNO/JSSIA整理）
8月25日，武汉东湖高新区管委会与长飞先进半导体有限公司签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。
该项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。
长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。
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