逆变用的传感器 - 新利棋牌官方下载

Silan 士兰微 SGM75PB12A4CTFD 75A/1200V IGBT模块

SGM75PB12A4CTFD模块性能优良，适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。
Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管

SVG105R4NT(S) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管

SVG10111ND N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 3VD579200YH N沟道增强型MOSFET芯片

3VD579200YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；较高的雪崩击穿耐量；优越的开关性能；该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD260；封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。
Silan 士兰微 3GT645120TFYL 绝缘栅双极型晶体管芯片

3GT645120TFYL是采用士兰微电子槽栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管;采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的饱和压降和开关损耗;正面电极材料为铝，背面电极材料为铝、钛、镍、银；该产品主要应用于逆变器，UPS以及焊接等领域。
Silan 士兰微 SGM950PB8B3TFM 950A/750V IGBT模块

SGM950PB8B3TFM是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于混动和纯电动汽车等应用领域，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级，为严苛环境条件下的逆变器运行，提供更可靠的保障。
Silan 士兰微 SGM200PB12A4CTFD 200A/1200V IGBT模块

SGM200PB12A4CTFD模块性能优良，适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。
Silan 士兰微 SGM30PA6A5TFD 30A，650V IGBT模块

SGM30PA6A5TFD模块性能优良，适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。
Silan 士兰微 SGM150PB12A4CTFD 150A/1200V IGBT模块

SGM150PB12A4CTFD模块性能优良，适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。
大立科技 DL700 测温型红外热像仪（手持）

DL700具有高像素、可旋转多角度观察等特点，其检测灵敏度高，图像清晰、测温精确、可靠性好。广泛应用于：电力故障诊断、石油化工、钢铁、科学研究、消防、建筑检测等领域。

意瑞半导体 CHA923 接近传感器

电源要求 : 直流供电

工作温度 : -40 至 150 C

工作电压 : 2.5V~22V

产品类型 : 单极

带宽 : 30KHz

输出形式 : 开漏输出

静态电流 : 1.6mA

ESD : 8000V

操作点(Brp): : 60G

操作点(Bop): : 140G

封装 : TO-92S, SOT23-3L

等级 : 汽车级

特殊功能 : 反向保护，输出限流

意瑞半导体 CHA925 接近传感器

工作温度 : -40 至 150 C

电源要求 : 直流供电

工作电压 : 2.5V~22V

产品类型 : 单极

带宽 : 30KHz

输出形式 : 开漏输出

静态电流 : 1.6mA

ESD : 8000V

操作点(Brp): : 200G

操作点(Bop): : 250G

封装 : TO-92S, SOT23-3L

等级 : 汽车级

特殊功能 : 反向保护，输出限流

兴感半导体 SC780 电流传感器

兴感半导体 SC780 电流传感器
兴感半导体 SC783 电流传感器

兴感半导体 SC783 电流传感器
成都虹威虹威科技程控交流电源HW90G03 交流电源

HW90G03交流电阻负载是程控可调负载箱，固定电压下设定不同电流或功率进行测试。可用于电池组、逆变器、智能开关等产品的功率检测。采用新型功耗组件，功率密度高，散热采用强制风冷方式。
兴感半导体 SC2180 电流传感器

兴感半导体 SC2180 电流传感器